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1 A Finite-Oxide Thickness Based Analytical Model for Negative Bias Temperature Instability

机译：1基于有限氧化物厚度的负偏置温度不稳定性分析模型

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Sanjay V. Kumar; Chris H. Kim; Sachin S. Sapatnekar;
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年度 2013
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1. A Finite-Oxide Thickness-Based Analytical Model for Negative Bias Temperature Instability [J] . Kumar S. V., Kim C. H., Sapatnekar S. S. Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on . 2009,第4期

机译：负偏置温度不稳定性的基于有限氧化物厚度的分析模型
2. Analytical reaction-diffusion model and the modeling of nitrogen-enhanced negative bias temperature instability [J] . J. B. Yang, T. P. Chen, S. S. Tan, Applied Physics Letters . 2006,第17期

机译：解析反应扩散模型及氮强化负偏压温度不稳定性模型
3. Analytical Modeling of Read Margin Probability Distribution Function of Static Random Access Memory Cells in Presence of Process Variations and Negative Bias Temperature Instability Effect [J] . Behrouz Afzal, Ali Afzali-Kusha, Massoud Pedram Japanese journal of applied physics . 2012,第11Issue1期

机译：存在过程变化和负偏置温度不稳定性效应的静态随机存取存储单元读取裕度概率分布函数的解析模型
4. Analytical modeling of Negative Bias Temperature Instability in triple gate MOSFETs [C] . Ghobadi Nayereh, Afzali-Kusha Ali, Asl-Soleimani Ebrahim Ultimate Integration of Silicon, 2009. ULIS 2009 . 2009

机译：三栅极MOSFET的负偏置温度不稳定性的解析模型
5. Atomic-scale defects involved in the negative bias temperature instability in silicon dioxide and plasma-nitrided oxide based pMOSFETs. [D] . Campbell, Jason P. 2007

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6. Impact of Photo-Excitation on Leakage Current and Negative Bias Instability in InSnZnO Thickness-Varied Thin-Film Transistors [O] . Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Shigekazu Tomai, 2020

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7. An analytical model for negative bias temperature instability [O] . Sanjay V. Kumar, Chris H. Kim, Sachin S. Sapatnekar 2006

机译：负偏压温度不稳定性的解析模型

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